KR20150080462A - Metal wire plasma immersion ion ...
The present invention relates to a plasma ion implantation apparatus and method of performing ion implantation to a metal wire with a small diameter. The apparatus comprises: a vacuum chamber; a plasma source which is installed in one side of the vacuum chamber to form plasma in the vacuum chamber; a hollow cylindrical mesh electrode which is disposed in the vacuum …
Read More...KR102120738B1 - 플라스마 처리 장치 및 플라스마 처리 …
본 발명은, 플라스마 처리에 있어서의 양호한 에칭균일성 및 재현성을 양립하는 것을 과제로 한다. 이러한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 플라스마 처리 장치(100)에 있어서, 재치용 전극(108)은, 웨이퍼(110)를 정전 흡착시키는 안쪽 둘레부 전극(111)과 …
Read More...KR20080055991A - Low-voltage inductively coupled …
A chamber for plasma processing a substrate. The chamber includes one or more chamber walls defining a plasma processing region and an RF transmitting device configured to transmit RF energy to the plasma processing region. The RF transmitting device comprises a first coil portion and a second coil portion connected in parallel. Each of the first coil portion and the second …
Read More...KR20010006293A - 플라스마 프로세싱 시스템에서 이온 …
플라스마 프로세싱 시스템은 플라스마 리액터, 제 1 전원 회로, 제 2 전원 회로 및 피드백 회로를 포함한다. 제 1 전원 회로는 플라스마 챔버내에 위치한 작업편상에 직류 바이어스를 생성하는 데 적합한 플라스마 리액터로 제 1 무선 주파수(rf) 에너지를 공급한다.
Read More...KR20070105259A - Method for removing masking …
A method for removing masking materials with a low-k dielectric material having reduced damage is provided to remove masking materials from a substrate with an exposed low-k material while minimizing damage to the exposed surface of a low-k material by exposing masking materials and a substrate with an exposed low-k material to first and second plasma.
Read More...KR100325404B1 - plasma processing apparatus - Google …
The present invention aims to improve the controllability and uniformity of the plasma treatment. A bias field forming means 23 having a high frequency or low frequency power supply 22 for generating a bias electric field near the wall 21a of the vessel 21 of the plasma processing apparatus, and a magnetic field H approximately parallel to the wall 21a.
Read More...KR20010006293A - Methods and apparatus for …
플라스마 프로세싱 시스템은 플라스마 리액터, 제 1 전원 회로, 제 2 전원 회로 및 피드백 회로를 포함한다. 제 1 전원 회로는 플라스마
Read More...KR100325404B1 - 플라스마 처리 장치 - Google Patents
본 발명은 플라스마 처리의 제어성과 균일성의 향상을 도모한다. 플라스마 처리장치의 용기(21)의 벽면(21a) 근방에 바이어스 전계를 발생시키는 고주파 또는 저주파 전원(22)을 구비하는 바이어스 전계형성수단(23)과, 벽면(21a)에 대략 평행의 자계 H를 인가하는 …
Read More...KR20210080275A - 플라스마 처리 장치 - Google Patents
안정된 플라스마 처리 특성을 얻을 수 있는 플라스마 처리 장치를 제공하기 위해, 진공 용기 내부의 처리실 내의 하부에 배치되고 상기 플라스마를 이용한 처리 대상의 웨이퍼가 놓이는 시료대로서 상부의 중앙부에 배치된 볼록 형상부의 상면에 상기 웨이퍼가 놓이는 시료대에 있어서 내부에 ...
Read More...KR100246116B1 - 플라즈마 처리장치 - Google Patents
웨이퍼(W)의 플라스마 에칭장치는 전자생성실, 가속실(8), 처리실(3)을 구비한다. 전자생성실에서 생성된 플라스마에서 전자(e - )가 인출되고 가속되어 처리실에 전자빔으로서 도입된다. 처리실(3)에는 반도체 웨이퍼(W)가 전자빔의 도입방향과 평행하게 되도록 수평하게 배치된다.
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